公司概況

龍騰半導體股份有限公司成立于2009年7月13日，總部位于陜西省西安市經濟技術開發區鳳城十二路1號西安關中綜合保稅區A區龍騰產業園，是國家級高新技術企業、專精特新“小巨人”企業以及陜西省半導體及集成電路重點產業鏈“鏈主”企業。公司注冊資本約1.61億元，法定代表人為徐西昌，現有員工規模100-199人，參保人數118人。作為一家垂直整合（IDM）模式的功率半導體企業，其業務涵蓋設計、研發、生產及測試全鏈條。

核心業務與技術實力

公司專注于新型功率半導體器件的研發與產業化，主要產品包括高壓超結MOSFET、屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、碳化硅MOSFET（SiCMOSFET）及功率模塊等，廣泛應用于消費電子（如充電器、LED驅動電源）、工業能源（如通信電源、服務器電源）和汽車電子（如充電樁、車載電源）領域。技術方面，公司擁有101項核心技術專利，主導制定了超結功率MOSFET國家行業標準（SJ/T9014.8.2-2018），并依托校企聯合研發平臺（如交大-龍騰先進功率半導體技術研究院）推動創新。

行業地位與榮譽

龍騰半導體在行業內具有顯著影響力，連續多年入選“西安龍門榜TOP20”，并獲評工信部首批重點支持的專精特新“小巨人”企業。公司建有陜西省首條8英寸功率半導體晶圓生產線，年產能達60萬片，填補了陜西省在該領域的空白。其產品以高能效、高可靠性及高性價比著稱，在新能源汽車、光伏逆變器等新興市場表現突出。

研發與生產布局

公司擁有國內一流的器件測試實驗室和產品可靠性工程中心，通過“應用+設計+工藝+材料+設備”融合創新模式推動技術升級。西安關中綜合保稅區的龍騰產業園是其核心制造基地，覆蓋晶圓制造、封裝測試等環節。2025年，公司加速推進8英寸功率半導體器件制造項目二期建設，進一步強化產業鏈閉環優勢。

人才與團隊

龍騰半導體注重技術人才隊伍建設，員工學歷以本科為主（占比62.5%），技術崗位涵蓋電子/電器、工廠生產、質量管理等領域。薪酬結構顯示，54.6%的崗位薪資集中在8-20K，西安地區平均工資約14.8K。公司通過校企合作和研發項目培養人才，持續提升技術創新能力。

近期動態與未來規劃

2025年慕尼黑上海電子展上，龍騰半導體展示了IGBT模塊、SiCMOSFET等最新產品，凸顯其在汽車電子與工業能源領域的解決方案能力。未來，公司計劃深化全產業鏈布局，目標成為全球領先的功率半導體器件及系統解決方案提供商，并拓展國際市場。

龍騰半導體產品線布局與應用領域

龍騰半導體聚焦功率半導體器件的研發與產業化，形成了覆蓋消費電子、工業能源及汽車電子等多領域的產品矩陣，核心產品包括超結功率場效應管、絕緣柵雙極型晶體管等系列，并以高能效、高可靠性及高性價比為顯著優勢。

核心產品系列

• 超結功率場效應管（SuperJunction VDMOS）
  具備高壓、低導通電阻特性，適用于開關電源、LED驅動電源等場景，是消費電子和工業電源領域的關鍵器件。

• 屏蔽柵溝槽場效應管（Shielding Gate VDMOS）
  通過溝槽結構優化，實現低柵極電荷和快速開關性能，廣泛應用于充電器、適配器及服務器電源。

• 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
  兼具MOSFET的驅動簡單和雙極型晶體管的高耐壓、大電流特性，主要用于新能源汽車電機驅動、光伏逆變器、工業變頻器等中大功率場景，市場需求增長迅速。

• 快恢復二極管（FRD）
  作為高頻整流器件，搭配IGBT或MOSFET使用，提升電力電子變換器的效率，適用于電焊機、UPS等設備。

產品應用場景分布

產品技術優勢

• 多場景適配性：覆蓋低壓至高壓全電壓等級，滿足從消費級小功率到工業級大功率的多樣化需求。

• 國產化替代能力：依托自建的8英寸功率半導體晶圓生產線（年產60萬片），實現核心器件自主可控，響應國內功率半導體市場的國產替代趨勢。

• 研發持續迭代：通過陜西省新型功率半導體工程研究中心等平臺，推動產品技術升級，例如在IGBT模塊和碳化硅器件領域的研發投入，強化汽車電子和新能源領域的競爭力。

市場拓展方向

目前，龍騰半導體的產品已在新能源汽車充電樁、車載充電機等汽車電子領域實現突破，并持續向光伏逆變器、工業變頻器等增長型市場滲透，未來計劃進一步拓展國際市場，提升全球份額。