碳化硅二極管的制備方法，SiC二極管具有高耐壓、低導通損耗、高溫穩定性等優點，廣泛應用于電力電子器件中。其制備過程主要涉及碳化硅材料的生長、摻雜、圖形化工藝、金屬化等步驟。
2024-09-24IGBT工作原理介紹-將MOSFET和BJT的優點結合在一起，在高效能電力電子應用中實現了高電流開關和低損耗操作。
2024-09-18國產溝槽型碳化硅MOSFET正式問世,此次碳化硅溝槽型MOSFET芯片制造技術的突破不僅填補了我國在該領域的技術空白，更為相關產業帶來巨大的經濟效益和技術提升。
2024-09-09東莞市美瑞電子有限公司，超結MOS（Super Junction MOSFET）產品中的099內阻與070，038內阻型號已實現大量出貨，標志著美瑞在大功率半導體領域的夯實一步。
2024-09-09本文為您介紹超結MOSFET的生產工藝，和應用。超結MOS作為一種創新的半導體器件技術，通過其獨特的超結結構設計，在降低導通電阻、提高開關速度、減小芯片體積、降低發熱和提升效率等方面展現出顯著優勢。
2024-09-07電源EMI是電子產品設計和使用中必須考慮的重要因素之一。通過采取有效的抑制措施和合理的設計方法，可以顯著降低電源EMI對電子設備和系統的影響，提高產品的穩定性和可靠性。
2024-09-07900V MOSFET在高壓、高效率的應用中具有廣泛的用途，尤其適合工業電源、光伏逆變器、電動汽車充電器和LED驅動等領域。
2024-09-05Super Junction MOSFET 超結MOS是一種高壓功率器件，通常用于高效率的開關電源、逆變器、LED驅動器和工業電源等應用。
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