碳化硅二極管是適用于功率半導體的革命性材料，其物理性能遠遠優于硅功率器件。關鍵特性包括基準開關性能、無反向恢復電流、溫度對開關行為幾乎沒有影響以及標準工作溫度范圍為-55℃至175℃。碳化硅二極管采用結勢壘..
2020-05-14肖特基二極管是以其發明者肖特基博士的名字命名的，SBD是肖特基二極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體和N型半導體接觸形成PN結的原理，而是利用金屬-半導體接觸形成金屬-半導體結的原理。因此，SBD..
2020-05-08穩壓二極管的結構與普通二極管相同，并且還有一個PN結。由于不同的制造工藝，當PN結處于反向擊穿狀態時，PN結不會被損壞(普通二極管的PN結會被損壞)，當使用穩壓二極管來穩定電壓時，利用這種擊穿特性。通常，當..
2020-05-06與PN結器件相比，碳化硅二極管更像是一種理想的開關。肖特基二極管最重要的兩個性能指標是其低反向恢復電荷(Qrr)和恢復軟化系數。當二極管電壓變為反向偏置時，低Qrr大大縮短了關斷過程所需的時間，即反向恢復時..
2020-04-27肖特基二極管是一種低功耗、超高速的半導體器件。它的反向恢復時間非常短(可以小到幾納秒)，正向導通電壓降僅為0.4V左右.大多數用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管和保護二極管。它們也用作微波通信電路..
2020-04-22穩壓二極管伏安特性曲線的正向特性與普通二極管相似，反向特性是反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻大，反向漏電流極小。然而，當反向電壓接近反向電壓的臨界值時，反向電流突然增加，這被稱為擊穿。在這個臨界擊穿點，..
2020-04-20lowvf肖特基二極管是一種正向壓降比普通肖特基二極管低的半導體器件。它可以理解為性能更好、壓降更低的升級肖特基二極管。因此，lowvf肖特基二極管的壓降越低，效率越高。因此，電壓降越低，發熱越低，lowv..
2020-04-16碳化硅早在1842年就被發覺了，但因其制取時的加工工藝難度系數大，而且元器件的產出率低，造成了價錢較高，這危害了它的運用。直至1955年，生長發育高質量碳化硅的方式出現推動了碳化硅二極管原材料的發展趨勢，在..
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