MOSFET在服務器電源中扮演著至關重要的角色，特別是在高效能、低損耗、高功率密度和快速響應的電源設計中，超結(jié)MOSFET和GaN MOSFET的應用正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅基MOSFET。
2024-10-07超結(jié)MOS的工藝雖然復雜，但其顯著的性能提升使其在電力電子領域成為不可或缺的器件，特別是在需要高效率、高功率密度和低能耗的應用場景中。
2024-10-07IGBT單管在大功率和高效率應用中具有出色的表現(xiàn)，但在應用中需特別關注散熱管理、開關速度控制和電磁干擾等問題。合理的電路設計和合適的保護措施可延長IGBT的使用壽命，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
2024-10-01在20W到2000W的電源設計中，不同功率等級適合使用不同的拓撲結(jié)構(gòu)。隨著功率的增大，拓撲結(jié)構(gòu)的選擇會越來越傾向于效率更高、開關器件更強的方案。拓撲選擇需要考慮功率等級、效率要求、成本、以及應用場景中的電壓和電..
2024-09-26不同的電源拓撲結(jié)構(gòu)會使用不同的功率器件來滿足各自的電氣特性、工作效率和功率需求。下面按照主要的電源拓撲結(jié)構(gòu)，介紹常見的功率器件選擇。
2024-09-26工業(yè)電源，消費類電源不同拓撲結(jié)構(gòu)有各自的優(yōu)勢和缺點，適合的場景也各有不同，設計時需要根據(jù)實際的應用需求、功率等級和成本等因素來選擇合適的拓撲。
2024-09-26在OBC的拓撲結(jié)構(gòu)中，IGBT主要用于PFC電路和DC-DC轉(zhuǎn)換電路，IGBT在車載OBC產(chǎn)品中的核心作用是實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換，提升功率密度，并在高壓高頻工作環(huán)境下保持高可靠性。
2024-09-26碳化硅內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)是通過多層絕緣、導熱、和保護結(jié)構(gòu)的集成，確保SiC器件在高壓、高溫、高功率條件下穩(wěn)定運行。通過選擇合適的材料和封裝設計，可以最大程度地發(fā)揮碳化硅的高性能優(yōu)勢，使其廣泛應用于電動汽車、工業(yè)電力..
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