LSD65R180GMB是一款 N-Channel MOSFET，其主要參數如下：
? 最大漏源電壓 (V_DS)：650 V
? 最大漏極電流 (I_D)：20 A
? 最大功耗 (P_D)：34 W
? 最大柵源電壓 (V_GS)：±30 V
? 最大門閾電壓 (V_GS(th))：5 V
? 總柵電荷 (Q_g)：約 39 nC
? 輸出電容 (C_oss)：約 1250 pF
? R_DS(on)：最大約 0.18 Ω

龍騰半導體多層外延MOS技術介紹
技術概述

龍騰半導體自主開發的超高壓950V超結SJ MOS平臺采用了先進的?多次外延結構設計?，這是一種創新的功率半導體技術。該技術在保證高耐壓的基礎上，有效減少了器件內部的寄生電容，進一步優化了開關過程中的能量損失。

技術特點與優勢

極低導通損耗?

Rsp(比導通電阻)較國際競品降低22.3%，顯著減少導通損耗
可在植物照明電源等應用中實現更高能效

超快動態性能?

FOM(Qgd)優化14.5%
開關損耗(Eon/Eoff)分別降低18.5%和43.1%
助力高頻電源設計簡化

卓越可靠性?

Trr(反向恢復時間)縮短13.6%，減少開關噪聲
多次外延工藝增強了器件耐壓能力
支持950V高壓場景下的長期穩定運行

工藝創新?

采用多次外延結構設計
優化了器件內部電場分布
提高了整體性能和可靠性
應用領域

龍騰半導體多層外延MOS技術廣泛應用于以下領域：

應用領域 具體應用場景
電源系統 LED驅動電源、適配器、PD充電器、開關電源、計算機及服務器電源
新能源 光伏逆變器、儲能系統、充電樁
工業電子 電池化成電源、工業電源
消費電子 便攜儲能設備、戶外電源
技術對比分析

與傳統MOSFET技術相比，龍騰半導體多層外延MOS技術具有顯著優勢：

與傳統平面VDMOS對比?

克服了導通電阻隨擊穿電壓急劇增大的缺點
提升了系統效率
保持了輸入阻抗高、開關速度快、工作頻率高等優點

與常規超結MOSFET對比?

采用多次外延工藝，增強了耐壓能力
優化了內部電場分布
提高了開關性能和可靠性

市場定位?

填補了國產高端功率半導體器件空白
在950V高壓應用場景具有競爭優勢
適用于對能效和可靠性要求高的應用
技術發展前景

隨著可再生能源、新能源汽車及5G通信等領域的蓬勃發展，功率半導體的需求持續攀升。龍騰半導體多層外延MOS技術憑借其高性能和可靠性，有望在以下領域獲得更廣泛應用：

新能源汽車?：車載充電機、DC-DC轉換器等
工業自動化?：伺服驅動、工業電源等
數據中心?：服務器電源、UPS等
智能家居?：高效電源適配器等

該技術的持續創新將助力我國功率半導體產業提升國際競爭力，滿足日益增長的高效能源轉換需求。