LSD65R650GMB

龍騰半導(dǎo)體LSD65R650GMB功率MOSFET產(chǎn)品介紹
產(chǎn)品概述

LSD65R650GMB是龍騰半導(dǎo)體(LONTEN)推出的一款高性能N溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)的超結(jié)(Super Junction)技術(shù)制造。該產(chǎn)品屬于龍騰半導(dǎo)體650V高壓MOSFET系列，專為高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計。

技術(shù)參數(shù)
參數(shù)名稱 參數(shù)值 備注
漏源電壓(Vdss) 650V 最大額定值
連續(xù)漏極電流(Id) 7A 25°C環(huán)境溫度下
柵源極閾值電壓 4.5V @ 250uA 典型值
漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大功率耗散 28W Ta=25°C時
封裝形式 TO-220F 符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
技術(shù)類型 超結(jié)VDMOS Super Junction技術(shù)

注：以上參數(shù)基于類似型號LSD65R650HT的技術(shù)規(guī)格整理，建議聯(lián)系龍騰半導(dǎo)體獲取LSD65R650GMB的精確參數(shù)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

高效率設(shè)計?

采用超結(jié)(Super Junction)技術(shù)，顯著降低導(dǎo)通電阻
相比傳統(tǒng)平面MOSFET，導(dǎo)通損耗降低約22.3%
優(yōu)化的柵極電荷特性，減少開關(guān)損耗

高可靠性?

100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測試
符合RoHS環(huán)保規(guī)范，無鉛無鹵素
優(yōu)化的熱設(shè)計，提高高溫工作穩(wěn)定性

應(yīng)用友好性?

標(biāo)準(zhǔn)TO-220F封裝，便于安裝和散熱設(shè)計
與行業(yè)主流MOSFET引腳兼容
簡化電路設(shè)計，降低系統(tǒng)成本
應(yīng)用領(lǐng)域

LSD65R650GMB適用于多種高效率電源轉(zhuǎn)換場景：

應(yīng)用類別 典型應(yīng)用
消費(fèi)電子 LED驅(qū)動電源、適配器、PD快充
計算機(jī) 服務(wù)器電源、PC電源
工業(yè)電子 開關(guān)電源、工業(yè)電源
新能源 光伏逆變器輔助電源

特別適用于需要高效率、高功率密度的電源設(shè)計場景。

技術(shù)優(yōu)勢

與傳統(tǒng)平面MOSFET對比?

克服了導(dǎo)通電阻隨擊穿電壓急劇增大的缺點(diǎn)
保持輸入阻抗高、開關(guān)速度快的特點(diǎn)
顯著提升系統(tǒng)整體效率

與常規(guī)超結(jié)MOSFET對比?

優(yōu)化的內(nèi)部電場分布設(shè)計
增強(qiáng)的耐壓能力和可靠性
改進(jìn)的開關(guān)特性，降低EMI干擾

市場定位?

填補(bǔ)國產(chǎn)高端功率半導(dǎo)體器件空白
在650V高壓應(yīng)用中具有競爭優(yōu)勢
性價比優(yōu)于同類進(jìn)口產(chǎn)品
使用建議

電路設(shè)計注意事項(xiàng)?

建議工作電壓不超過520V，留足設(shè)計余量
柵極驅(qū)動電阻推薦值10-22Ω，平衡開關(guān)速度與EMI
確保良好的散熱條件，建議使用散熱片

典型應(yīng)用電路?

適用于反激式、正激式等開關(guān)電源拓?fù)?br/>可與PWM控制器如L6565等配合使用
在LLC諧振轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異

可靠性保障?

避免超過最大額定參數(shù)使用
注意PCB布局，減少寄生參數(shù)影響
建議進(jìn)行老化測試驗(yàn)證長期可靠性
制造商背景

龍騰半導(dǎo)體有限公司是一家專注于新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，通過ISO9001-2015質(zhì)量體系認(rèn)證。公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有83項(xiàng)專利，并參與制定了超結(jié)功率MOSFET國家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司產(chǎn)品線涵蓋超結(jié)MOSFET、IGBT、快恢復(fù)二極管等多個系列，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)電源、新能源汽車等領(lǐng)域。龍騰半導(dǎo)體建有國內(nèi)一流的研發(fā)中心和應(yīng)用測試實(shí)驗(yàn)室，持續(xù)推動功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新。